RTD Wafer 無(wú)線(xiàn)晶圓測(cè)溫系統(tǒng)

RTD Wafer 晶圓測(cè)溫系統(tǒng)利用自主研發(fā)的核心技術(shù)將 RTD 傳感器集成到晶圓表面，實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄晶圓在制程過(guò)程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體 制造過(guò)程提供一種高效可靠的方式來(lái)監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵的工藝參數(shù)。我司提 供核心的 DUAL SHIELD 技術(shù)，具有強(qiáng)抗干擾能力，可實(shí)現(xiàn)在干法刻蝕環(huán) 境中正常工作，精準(zhǔn)監(jiān)測(cè)刻蝕工藝溫度；結(jié)合核心的 TEMP-BLOCK 技術(shù)， 可實(shí)現(xiàn)高溫環(huán)境中，精準(zhǔn)監(jiān)測(cè)制程溫度。

【應(yīng)用范圍】薄膜沉積 PVD  CVD

【產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)】

1. ±0.05℃高精度測(cè)溫監(jiān)測(cè)：RTD傳感器能夠提供高精度的溫度讀數(shù)，確保半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵步驟能夠在優(yōu)良溫度下進(jìn)行，從而保證產(chǎn)品質(zhì)量至關(guān)重要。

2. 實(shí)時(shí)測(cè)溫?cái)?shù)據(jù)獲?。?/strong>通過(guò)RTD Wafer，可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)晶圓在熱處理和刻蝕過(guò)程中的溫度變化，實(shí)現(xiàn)即時(shí)調(diào)整工藝參數(shù)，優(yōu)化生產(chǎn)效率。

3. 測(cè)溫?cái)?shù)據(jù)分析能力：測(cè)量后的數(shù)據(jù)通過(guò)軟件分析和優(yōu)化工藝參數(shù)，提高產(chǎn)量和產(chǎn)品質(zhì)量。

4.支持過(guò)程調(diào)整與驗(yàn)證：通過(guò)分析在產(chǎn)品工藝條件下收集的溫度數(shù)據(jù)實(shí)現(xiàn)調(diào)整蝕刻和其他關(guān)鍵工藝步驟的條件，以確保優(yōu)良性能。

5.全面熱分布區(qū)監(jiān)測(cè)：在晶圓上支持多達(dá)81個(gè)位置同時(shí)進(jìn)行溫度監(jiān)測(cè)，從而獲得全面的熱分布圖。

【參數(shù)配置】